EU genehmigt 920-Millionen-Förderung für Infineons Halbleiter-Riesenprojekt in Dresden

Marie Schneider
Marie Schneider
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Eine Nahaufnahme eines rechteckigen Halbleiterchips mit metallischem Glanz, umgeben von einem dünnen Metallrahmen und mit kleinen Löchern entlang seiner leicht erhöhten Kanten auf einem schwarzen Hintergrund.Marie Schneider

EU genehmigt 920-Millionen-Förderung für Infineons Halbleiter-Riesenprojekt in Dresden

Die Europäische Kommission hat ein deutsches Förderpaket in Höhe von 920 Millionen Euro für das neue Halbleiterwerk von Infineon in Dresden genehmigt. Die Mittel fließen in eine 3,5-Milliarden-Investition zur Produktion fortschrittlicher Chips. Laut Behörden wird das Projekt die technologische Unabhängigkeit Europas und die Versorgungssicherheit stärken.

Die neue Anlage mit dem Namen MEGAFAB-DD wird ein breites Spektrum an Halbleitern herstellen. Ihr Design ermöglicht einen schnellen Wechsel zwischen zwei zentralen Technologiefamilien – eine Premiere für Europa. Diese Flexibilität soll die Krisenreaktion und Produktionsanpassung verbessern.

Die Kommission bewertete die Beihilfe als notwendig und verhältnismäßig, mit minimalen Auswirkungen auf den Wettbewerb in der EU. Infineon verpflichtete sich, das europäische Halbleiter-Ökosystem durch Forschung, Entwicklung und Notfallvorsorge zu stärken.

Laut Vereinbarung erhält das Unternehmen bis zu 920 Millionen Euro an direkten Zuschüssen. Die Produktion des Werks konzentriert sich auf diskrete Leistungshalbleiter sowie analoge und gemischt-signal Chips – Bereiche, die für Industrie- und Automobilanwendungen entscheidend sind.

Das Dresdner Werk wird die Position Europas in der Halbleiterfertigung festigen. Die flexible Produktionskapazität schließt Lücken in der bestehenden EU-Infrastruktur. Zudem trägt das Projekt dazu bei, die Abhängigkeit von externen Lieferanten zu verringern.